全球首款 HBM4 芯片，开始量产！

9月12日，SK海力士宣布完成新一代高带宽内存HBM4的开发，并已搭建起全球首个量产体系。这意味着，全球首款HBM4芯片正式进入量产阶段。

从性能来看，HBM4 拥有业界最佳的数据处理速度和能效，它采用了2048个I/O端口，带宽相较HBM3E提升一倍，能效提高超过40%。（带宽是指每秒在内存和处理器之间传输的最大数据量。）

预计该产品应用后，AI 服务性能将提升高达 69%，显著缓解数据传输瓶颈，同时降低数据中心的能耗。

HBM4 的运行速度为每秒10千兆位 (Gbps)，超过了联合电子设备工程委员会 (JEDEC) 设定的 8Gbps 的全球标准。

在工艺上，SK海力士在HBM4中采用了市场验证过的Advanced MR-MUF工艺，并引入1bnm（即10nm第五代）技术，以降低量产风险。

据悉，HBM4 预计将搭载于英伟达的下一代图形架构 Vera Rubin，该架构是 Blackwell AI 芯片的继任者。

2024年 11 月，SK集团会长崔泰源表示，英伟达首席执行官黄仁勋已要求SK海力士提供12层HBM4 芯片，比SK海力士原定的2026年初的计划提前了六个月。

SK海力士总裁兼AI基础设施负责人金俊勉表示：“HBM4是突破AI基础设施局限的标志性转折点，将成为攻克技术难题的核心产品。”

同时强调：“我们将通过及时提供AI时代所需的最佳品质和多样化性能的内存产品，成长为一家全栈式AI内存供应商。”

HBM，全称高带宽内存，本质上是一种特殊形态的DRAM。

它的特点是将多层存储芯片垂直堆叠，通过硅通孔连接，不仅能在有限的空间内提升容量和速度，还能降低功耗。随着人工智能对算力和数据处理速度提出越来越高的要求，HBM已经成为支撑大模型训练和推理的关键部件之一。

在过去几年里，SK海力士在HBM市场上一直保持优势。最新数据显示，SK海力士的市占率已经达到62%，远超三星的17%和美光的21%。

这一次率先实现HBM4量产，更是进一步巩固了其领先地位。业内分析认为，凭借新一代产品的提前布局，SK海力士的市场份额在未来几年仍将维持在60%左右。

此外，SK海力士还计划与Naver Cloud合作，在真实AI服务环境中验证和优化下一代AI内存与存储产品。

Naver Cloud将升级其数据中心软件，以匹配海力士的新硬件，目标是提升GPU利用率、缩短AI服务响应时间，并降低整体运营成本。